巨磁阻效应实验仪/磁阻效应实验器 型号:HAD-GMR-2

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  对巨磁电阻效应的研究就是磁电子学的一个重要内容。磁场作用于磁性多层膜中导电电子的自旋,导致膜电阻发生很大的变化,这种变化可以通过测量电阻或以电压方式反映出来。根据这种特点可以在许多领域得到应用。
  本实验仪器采用新型巨磁阻传感器,可在微弱磁场中发生巨磁阻效应,操作简单,使用安全,方便,帮助同学们从实验现象和数据中,了解巨磁阻效应的原理和应用,掌握巨磁阻传感器的原理和应用。 
可开设的实验:
1、了解巨磁阻效应原理,掌握巨磁阻传感器原理及其特性。
2、学习巨磁阻传感器的定标方法,用巨磁阻传感器测量弱磁场。 
3、测量巨磁阻传感器敏感轴与被测磁场间夹角与传感器灵敏度的关系。
4、测量巨磁阻传感器的灵敏度与工作电压的关系。
主要技术参数:
1、巨磁阻传感器: 灵敏度3.3mV/V·Gs~4.0 mV/V·Gs;线性范围:–8.0Gs~+8.0Gs;饱和磁场15Gs。
2、传感器工作电源:4V~15V连续可调。
3、传感器测量信号4位半LED显示。
4、亥姆霍兹线圈: 线圈有效半径110mm;单个线圈匝数500匝;二线圈中心间距110mm;温升不大于10℃的负荷电流不小于0.5A。
5、内置恒流源部分: 输出电流:0~0.5A,电压 24V;3位半LED显示,分辨率 1mA